Área: Ciências Exatas e da Terra
Subárea: Física
Estado: Paraná
Cidade: Curitiba
Escola: INSTITUTO FEDERAL DO PARANÁ - Campus Curitiba
Resumo: Óxido de gálio (Ga2O3), com gap de banda de 4,9 eV, é um material semicondutor emergente de largura de banda ultra alto, que atraiu recentemente muita atenção científica e tecnológica devido às suas extensas aplicações futuras em eletrônica de potência (transistores de efeito de campo, diodos de barreira Schottky), optoeletrônica (dispositivos eletroluminescentes), memória (dispositivos spintrônicos, dispositivos de memória de acesso aleatório de resistência), sistemas de detecção (sensores de gás, detectores de radiação nuclear), eletrodo de óxido condutor transparente no ultravioleta profundo e fotocatalisador. A pesquisa em Ga2O3 tornou-se um tema extremamente atraente em todo o mundo, e o número de publicações exibe o crescimento exponencial em função do tempo em escala logarítmica. Espera- se que essa tendência continue no futuro próximo à medida que a pesquisa para o desenvolvimento de dispositivos de energia aumente. Com a minimização de espaço dentro dos dispositivos, o objetivo hoje em dia é de se obter um material que venha a servir não somente para um tipo de sensor, mas para que um mesmo dispositivo seja capaz de servir para o máximo de aplicações possível. Neste sentido, o presente trabalho tem como objetivo demonstrar o estado da arte deste composto com aplicabilidade em dispositivos spintrônicos (fenômeno ferromagnético é o que origina a spintrônica), e transistores e diodos de alta potência. A princípio, pode ser produzido células unitárias de cada policristal do óxido de gálio e calculado a sua difração de raio-x.
